独習 電子回路設計(宇野俊夫)|翔泳社の本
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独習 電子回路設計


形式:
書籍
発売日:
ISBN:
9784798119755
価格:
本体3,400円+税
仕様:
B5変・544ページ
分類:
電気・建築
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好評新定番『独習 電気/電子工学』に続くステップ登場!

本書は電子回路の設計に必要な実践的な技術を身につけたい方に向けて、独習書として構成されています。電子工学系の学生諸子はもちろん、既に技術者として活躍中の方がステップアップを目指すためにも役立つよう配慮しました。実際、本書に掲載された回路図は、一部の概念図を除きすべて動作確認済みで、周波数特性図や波形、ロジック出力等は実物やシミュレータの出力結果です。(中略)フリーで入手できるSpiceベースの回路シミュレータやVHDL開発ツール/シミュレータを利用し、本書の回路を実際に入力して動作を確かめながら読み進めて行けば、飛躍的に理解を深めることができるでしょう。


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第1章 ダイオードとトランジスタ

ダイオードの概要
トランジスタの概要
トランジスタの動作点とバイアス回路
電界効果トランジスタ(FET)の概要
第1章のテスト

第2章 電源回路の仕組みと実用設計

電源回路の概要
簡単なシリーズ電源の設計
電流ブースター回路
可変電圧出力回路の設計
保護回路
CVCC(定電圧低電流)電源
三端子レギュレータを使った電源回路
スイッチングレギュレータの仕組み
DC-DCコンバータ
第2章のテスト

第3章 低周波増幅回路

増幅回路の種類と原理
小信号低周波増幅回路の設計
高利得増幅回路の基礎原理
高利得増幅回路と負帰還増幅回路
負帰還増幅回路の設計
エミッタフォロワ
SEPP・・・バッファアンプ
ダーリントン接続回路
電力増幅回路
A級増幅回路の設計
B級プッシュプル増幅回路
AB級プッシュプル増幅回路
コンプリメンタリ回路
DCアンプと差動増幅回路
カレントミラー回路
第3章のテスト

第4章 オペアンプ

オペアンプの概要
オペアンプの基本
オペアンプの増幅率
カスケード接続
差動増幅回路
ボルテージフォロワ
オペアンプの増幅度と周波数特性
演算回路
様々なオペアンプ応用回路
第4章のテスト

第5章 低周波発振回路

発振の仕組み
信号波形
矩形波発振回路
CR正弦波発振回路
三角波発振回路
のこぎり波発振回路
VCO:電圧制御発振器
単安定マルチバイブレータ
きれいな正弦波を得る工夫
第5章のテスト

第6章 フィルタ回路

フィルタの概要
パッシブ・バタワースフィルタ
LCRバタワースフィルタ
正規化フィルタのLPFからHPFへの変換
ベッセルフィルタ
チェビシェフフィルタ
アクティブフィルタ
高次アクティブフィルタ
第6章のテスト

第7章 高周波増幅回路

高周波回路の基礎
高周波回路とダイオード
高周波トランジスタ回路
トランジスタで高域特性を伸ばす工夫
カスコード回路
スイッチ回路
ミキサー回路
中和回路
第7章のテスト

第8章 高周波発振回路

高周波発振回路の概要
LC発振回路の設計
コルビッツ発振回路
コルビッツ発振回路の設計例
ハートレー発振回路
水晶発振回路
トランジスタによる水晶発振回路
オーバートーン発振回路
デジタルICによる水晶発振回路
CMOSオーバートーン水晶発振回路
デジタルICによる水晶発振回路の動作チェック
第8章のテスト

第9章 デジタル回路の基礎

デジタル回路の考え方
基本倫理回路
基本倫理回路の実装~標準ロジックIC
デジタル回路と時間
デジタル回路と電源
第9章のテスト

第10章 組合せ倫理回路

組合せ倫理回路のビルディングブロック
回路の正論理と負論理
高機能な組合せ倫理回路と回路図記号
ハザード
第10章のテスト

第11章 順序回路

順序回路とは
フリップフロップ
フリップフロップの設定端子とタイミング
順序回路の応用
同期回路/非同期回路
第11章のテスト

第12章 有限状態マシン

有限状態マシン
順序回路と状態マシン
状態遷移図と回路設計
ソフトウェアとハードウェア
第12章のテスト

第13章 HDLによるデジタル回路設計

VHDLの概要
VHDLのキー・コンセプト
VHDLの基本文法
組合せ倫理回路の便利な記述法
順序回路の記述
変数と定数
アトリビュート
VHDLによる組合せ倫理回路の記述
VHDLによる順序回路の記述
VHDLの階層設計
メモリの記述
VHDLによる状態マシンの記述
第13章のテスト

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最終更新日:2014年07月16日
発生刷 ページ数 書籍改訂刷 電子書籍訂正 内容 登録日
1刷 002
図1-1 右側のブリッジダイオードの図
2013.06.20
1刷 003
図1-2のキャプション 最終行
電圧ほとんど変化しなくなる
電圧ほとんど変化しなくなる
2013.06.20
1刷 004
図1-3 凡例
● 正孔(ホール) ○ 電子(エレクトロン)
○ 正孔(ホール) ● 電子(エレクトロン)

p型半導体には正孔が、n型半導体には電子が多数キャリアですので
図の凡例は白黒が反転しています。
2012.02.03
1刷 006
図1-5 グラフの横軸キャプション
ツェナー電流 Vz(V)
ツェナー電圧 Vz(V)
2013.06.20
1刷 010
「チェック」の見出し
能動素子の定数と設計
受動素子の定数と設計
2013.08.27
1刷 010
コラム「チェック」 箇条書き第4項「E96系列は…」の2行目
0~9までの間を指数感素敵
0~9までの間を指数関数的
2013.06.20
1刷 015
5~6行目
その移動度は比較的速いのが特徴です。これに対し正孔は、他の原子から電子をもらってこなければならないため、電子に比べて移動に時間がかかります。移動度が遅いのです。
その移動度は比較的高いのが特徴です。これに対し正孔は、他の原子から電子をもらってこなければならないため、電子に比べて移動に時間がかかります。移動度が低いのです。
2013.08.27
1刷 016
「二次降伏現象」の1行上
ディレギュレーション
ディレーティング
2013.06.20
1刷 016
下から2行目
FETの場合、温度が上昇すると電流が流れにくくなる温度計数を持つため、
FETの場合、温度が上昇すると電流が流れにくくなる温度係数を持つため、
2013.06.20
1刷 017
理解度チェック3)(B)
ディレギュレーション
ディレーティング
2013.07.05
1刷 019
式1-1
※Vcは電源電圧。図1-12では「Vcc」と表記

式にコメントを追加します。
2013.06.20
1刷 021
「電流帰還バイアス回路の設計の基本」の4行上
温度計数を持っています
温度係数を持っています
2013.08.27
1刷 021
「電流帰還バイアス回路の設計の基本」の2行上
REを流れる電流が変動してVEを変化させるため、
REを流れる電流が変動してVEを変化させるため、
2013.06.20
1刷 024
式1-6
VE=VCCICC・RCC-VCE
VE=VCCIC・RC-VCE
2013.06.20
1刷 024
式1-7
2013.06.20
1刷 025
6行目
逆算してみます。RCは電源電圧VCCから
逆算してみます。VCは電源電圧VCCから
2013.08.27
1刷 025
1行目
通常はベース電圧VBVCE分だけVEより高く
通常はベース電圧VBVBE分だけVEより高く
2013.06.20
1刷 032
「FETの回路動作原理」の5行目
第二の回路は、電池2、R2、電球、ドレインから
第二の回路は、電池2、電球、R2、ドレインから
2013.08.27
1刷 033
下から6~5行目
ドレインに流れるレイン電流です。
ドレインに流れるレイン電流です。
2013.06.20
1刷 036
「FETの品種の検討」の2行上
電圧利得4で最大出力電圧振幅3Vの増幅回路
電圧利得4で最大出力電圧振幅4Vの増幅回路
2013.08.27
1刷 037
「V DSと電力損失P Dを求める」の1~4行目
 この回路で流れるドレイン・ソース間電圧VDSを求めます。VDSはドレイン電圧VDからソース電圧VSを引いたものなので、VDS=ID×RD-IS×RS=15V-1mA×8.2KΩ-2V=4.8Vです。この電圧とドレイン電流の積がFETの電力損失PDです。すなわちPD=VD×ID=4.8×1mA=4.8mWとなります。
 この回路に流れる電流からドレイン・ソ-ス間電圧VDSを求めます。VDSはドレイン電圧VDからソ-ス電圧VSを引いたVDS=VD-VS=RD・ID-RS・ISです。ここでID≒ISとし、ドレイン電圧をたとえば15Vとすると、VDS=15V-1mA・8.2KΩ-2V=4.8Vとなります。この2VはRSによる電圧降下分です。このVDSとドレイン電流の積がFETの電力損失PDです。すなわちPD=VDS・ID=4.8V×1mA=4.8mWとなります。
2013.08.27
1刷 039
7行目(式)
fc=1/(2πCR)
fc=1/(2πCR)
2013.06.20
1刷 041
8) 図Ex1-4 R4の値
64k
6.4k
2013.03.13
1刷 041
5)の(A)
PA(Pablic Access)
PA(Public Access)
2013.08.27
1刷 046
「電圧変換回路」の4~5行目
まずはトランスで交流電圧を
まずはトランスで交流電圧を
2013.06.20
1刷 046
式2-1
V2:V2=N1:N2
V1:V2=N1:N2
2013.06.20
1刷 048
図2-2 右段、下から3行目
この整流回路は上記の全波整流回路と同じ動作をするが、
この整流回路はダイオードによる両波整流回路と同じ動作をするが、
2013.08.27
1刷 050
「雷サージ対策」の2行上
ただし、実際には対称となる
ただし、実際には対象となる
2013.06.20
1刷 052
下から3行目
温度計数
温度係数
2013.08.27
1刷 052
図2-3 上段のグラフの横軸
ツェナー電流 Vz(V)
ツェナー電圧 Vz(V)
2013.06.20
1刷 053
1行目
温度計数
温度係数
2013.08.27
1刷 054
式2-2
VRSVRS-VZ
VRSVIN-VZ
2013.06.20
1刷 054
式2-3
2013.06.20
1刷 059
式2-7
PC=(VIN(MAN)-VOUT)・VO(NAX)
PC=(VIN(MAN)-VOUT)・IOUT(MAX)
2013.06.20
1刷 059
式2-9
2013.06.20
1刷 059-060
p.59の最下行からp.60の4行目まで
この式に既知の値を代入してみます。  RB=(10-6) ÷ 0.005 ≒ 800Ω  ちなみに、ブリーダ抵抗を通じてツェナーダイオードに流す電流のことをブリーダ電流と呼びます。RB は、最も近いE24系列である820Ωとします。
VIN (MAX)=15、VZ=6、IZ(M I N)=0.005(5mA)とすると  RB=(15-6) ÷ 0.005 ≒ 1800Ω  ちなみに、ブリーダ抵抗を通じてツェナーダイオードに流す電流のことをブリーダ電流と呼びます。RB は、E24系列なので、そのまま1800Ωとします。
2013.08.27
1刷 061
図2-9の左上方 Vinの値
Vin(5V)
Vin(15V)
2013.06.20
1刷 062
式2-10の次の行
VOUTは出力電圧で5V、IOUT(MAX)2Aです。
VOUTは出力電圧で6V、IOUT(MAX)5Aです。
2013.08.27
1刷 062
「ブリーダ抵抗の決定」の7行上
設計仕様の最大出力電流の2Aや最大出力電流5Aに対し
設計仕様の最大負荷電流の2Aや最大出力電流5Aに対し
2013.08.27
1刷 062
式2-10
PC1=(VIN(MAN)-VOUT)・IOUT(MAN)
PC1=(VIN(MAX)-VOUT)・IOUT(MAX)
2013.06.20
1刷 063
式2-12

不等号を逆向きに訂正します。
2013.08.27
1刷 063
式2-14の1行下
余裕をみてVCEの耐圧が
余裕をみてVCEOの耐圧が
2013.08.27
1刷 064
11行目
このときツェナーダイオードの電
このときツェナーダイオードの電
2014.07.16
1刷 065
式2-17

R1の分子に括弧を追加します。
2013.06.20
1刷 066
下から3行目
1.07×6000-1.17×R3=6000
1.17×6000-1.17×R3=6000
2013.08.27
1刷 066
式2-22
2013.06.20
1刷 066-067
p.66の最下行からp.67の4行目まで
 R=6000 ÷ 2.35=2803.7≒2.7KΩ
 すると、VRVR= 6000-(2400+910)=2690≒2.7KΩとなります。  R3+R4VR =910+2400+2700=6010Ω  VOUT(M I N)6010÷5100×5.1≒6.01V  VOUT(MAX)6010÷2400×5.1≒12.8V
 R=6000 ÷ 2.35=2553.2
 E24系列に最も近い値としてR4を2.7KΩとすると、VRVR= 6000-(2700+910)=2390≒2.7KΩとなります。  R3+R4VR=910+2700+2700=6310Ω  VOUT(M I N)6310÷5100×5.1≒6.31V  VOUT(MAX)6310÷2400×5.1≒13.4V
2013.08.27
1刷 069
「フォールドバック・カレントリミッター回路」の5行上
都合45Wとなります。
都合75Wとなります。
2013.08.27
1刷 069
「カレントリミッター」の8行目
IO×R5が0.6Vを超えると
IO×RSが0.6Vを超えると
2013.06.20
1刷 070
6~7行目
フォールドバック・カレントリミッター回路と呼びます
フォールドバック・カレントリミッター回路です
2010.02.02
1刷 071
式2-25
2013.06.20
1刷 071
式2-26
2013.06.20
1刷 072
図2-11 図中の抵抗器のリファレンス名称
R1
RS
2013.06.20
1刷 080
式2-32

右辺に括弧を追加します。
2013.06.20
1刷 081
式2-34

分母の「O(オー)」を1つ削除し、「Iq1」を「IQ1」に訂正します。
2013.06.20
1刷 087
図2-22

トランジスタQ1のコレクタとエミッタを逆向きに訂正します。
コイルをL1からLに訂正します。
2013.06.20
1刷 088
最下行
または200Vの用法に対応
または200Vの両方に対応
2013.08.27
1刷 090
2~3行目
VRM(Voltage Regurator Module)やVRD(Voltage Regurator Down Curcuit)
VRM(Voltage Regulator Module)やVRD(Voltage Regulator Down Circuit)
2013.08.27
1刷 091
6行目からの箇条書き
(1) 起動抵抗RGを経由して (3) トランスのL1の両端には (4) このようにトランジスタQ1がONをし続けると、 (6) トランスのL1からの (7) 逆向きの起電力がL1に (8) この起電力がL4でも起き (9) Q2によってL4が飽和し、 (10) OFFになり、L4に起電力が発生し、L1でも
(1) 起動抵抗R1を経由して (3) トランスのS2の両端には (4) このようにトランジスタQ1がONを維持し続けると、 (6) トランスのS1からの (7) 逆向きの起電力がS2に (8) この起電力がS1でも起き (9) Q2によってS2が飽和し、 (10) OFFになり、S2に起電力が発生し、S1でも

箇条書き番号順に訂正箇所付近のみを掲載しています。
2013.07.05
1刷 094
「理解度チェック」の4行上
耐圧を考慮せなばらない
耐圧を考慮せねばならない
2013.08.27
1刷 099
図3-1 ブリーダ抵抗のリファレンス名称

中央上部の「RB 100k」を「RBB 100k」に訂正します。
2013.06.20
1刷 100
式3-7の4行目
2013.08.28
1刷 101
2行目
RE ÷ RC
RC ÷ RE
2013.08.28
1刷 101
「式1-6 と1-8 の関係の整理:」の1行目
VE=VCCICC・RCC-VCE
VE=VCCIC・RC-VCE
2013.08.28
1刷 102
下から6行目
降下を4Vとしたので、
降下を2Vとしたので、
2013.06.20
1刷 103
欄外 注
電圧増幅度など、電圧の比率のdB表記は20log10(VIN/VOUT)で求められます。
電圧増幅度など、電圧の比率のdB表記は20log10(VOUT/VIN)で求められます。
2010.02.02
1刷 103
図3-2 Rcの定数(中央上部)
RC 39k
RC 3.9k
2013.06.25
1刷 104
式3-12

分母の「CR」を「CR」に訂正します。
2013.06.20
1刷 104
「入出力インピーダンスの検証」4行上
グラフの曲線は、一番が0.1μF、次が0.5μF、
グラフの曲線は、一番が0.1μF、次が0.5μF、
2013.06.20
1刷 105
本文 下から2行目
ただし、負荷抵抗RLによる損失を考慮も大きくなるため、
ただし、負荷抵抗RLによる損失も大きくなるため、
2013.06.20
1刷 107
最下行の下
当初目標の40dB以上の利得を得る回路は次節の図3-9に記載してあります。

追記します。
2013.06.20
1刷 107
式の下、本文9行目
この回路では直流抵抗が1KΩ、交流交流インピーダンスを
この回路では直流抵抗が1KΩ、交流インピーダンスを
2013.06.20
1刷 110
図3-10のキャプション
図3-10:
図3-10:図3-9の回路の周波数応答性能
2013.06.20
1刷 111
図3-13 R3の定数(中ほど上部)
R3 40k
R3 4.7k
2013.06.25
1刷 113
式3-18
VOUT=AO×(VINVO)
VOUT=AO×(VINVOUT)
2013.06.20
1刷 114
式3-24の2~1行上
高域遮断周波数 FCH や電圧増幅度 AfH は次のようになります。
高域遮断周波数 fCH や電圧増幅度 AOH は次のようになります。
2013.06.20
1刷 115
式3-26の2行目
2013.08.28
1刷 115
「帰還回路の解析」の6行目
図13-14
図3-14
2013.08.28
1刷 115
式3-26 1行目と2行目の式

1行目・右辺・分子の「AVH」を「AOH」に、2行目・括弧内・分子の「AO」を「AOβ」に訂正します。また、2行目と3行目にある3つの「J」を「j」に訂正します(複素数の虚数単位は慣例上、小文字で表記されるため)。
2013.06.20
1刷 115
「帰還回路の解析」の2行上
高域遮断周波数 fCHf
高域遮断周波数 fCH
2013.06.20
1刷 115
「帰還回路の解析」5~6行目
奇妙な形にひずんでいます(図13-14)。
奇妙な形にひずんでいます(図3-14)。
2013.06.20
1刷 116
3行目
図13-14
図3-14
2013.08.28
1刷 117
式3-30

左辺を訂正します。
2013.06.20
1刷 118
「トランジスタの選択」の5行目
電源電圧が10Vなので、トランジスタのコレクタ-エミッタ間電圧(VCEO)が最大10Vに耐える
電源電圧が15Vなので、トランジスタのコレクタ-エミッタ間電圧(VCEO)が最大15Vに耐える
2013.08.28
1刷 118
図3-15 図中の2つのトランジスタのリファレンス名
T1 NPN、T2 PNP
Q1 NPN、Q2 PNP
2013.06.20
1刷 120
式3-33の4行目

分子「AO」を「1」に訂正します。
2013.08.28
1刷 121
「理解度チェック」1)の(B)
特性が保障されている
特性が補償されている
2013.08.28
1刷 124
式3-34 左側
fC1 = 1 / 2πCR
fC1 = 1 / 2πCR
2010.02.02
1刷 125
式3-35 1行目
fC1 = 1 / 2πCR
fC1 = 1 / 2πCR
2010.02.02
1刷 125
図3-18 定数(4か所)
R3 80、R5 20、R6 33k、C4 10n
R3 82、R5 820、R6 3.3k、C4 100n
2013.08.28
1刷 126
最下行
Sigle-End Push-Pull回路
Single-End Push-Pull回路
2013.08.28
1刷 127
図3-21(a)のキャプション
(a):SEPPのひずみ対策(未対策の回路)
(a):SEPPで負帰還をかけた回路
2013.08.28
1刷 127
図3-20のR2の定数
R2 100
R2 22
2013.06.25
1刷 127
図3-21(a)R6の定数
R6 22k
R6 2.2k
2013.06.25
1刷 129
「理解度チェック」1)の(A)(B)
(A)Signal ExtendePower Push の略で、B 級増幅回路の基本である (B)Single Endedd Push Pull の略で、より大きな増幅度が必要なときに使う
(A)Signal Extended Power Push の略で、B 級増幅回路の基本である (B)Single End Push Pull の略で、より大きな増幅度が必要なときに使う
2013.08.28
1刷 129
図3-22 参照記号
T1NPN、T2NPN
Q1NPN、Q2NPN
2013.06.25
1刷 133
式3-36の右端
2013.08.28
1刷 134
式3-37から、下から2行目まで

赤枠の部分を訂正します。Bを削除し、AをBの位置に移動します。
2013.08.28
1刷 134
図3-23 C1とR2の定数
C1 110μ、R2 16k
C1 100μ、R2 1.6k
2013.06.25
1刷 137
式3-39

1行目「cm」を下付きに、2行目の分母を1から2に、3行目と4行目の分子の「2」の位置を訂正します。
2013.08.28
1刷 139
「理解度チェック」5)の(A)
Output Transformter Load
Output Transformer Load

「t」を削除します。
2013.08.28
1刷 140
図3-28 R5とR6の定数
R5 47、R6 47
R5 4.7、R6 4.7
2013.06.25
1刷 141
下から12行目
(図3-28)。ただし、
(図3-29)。ただし、
2013.08.28
1刷 142
式3-41の1行目左辺
IE(meam)
IE(mean)

「meam」を「mean」に訂正します。
2013.08.28
1刷 144
式3-42の1行目
2013.08.28
1刷 145
式3-44と式3-45の間の本文
Kはボルツマン定数、Tは絶対温度(K:ケルビン)、I eはエミッタ電流・・・
Kはボルツマン定数、Tは絶対温度(°K:ケルビン)、I eはエミッタ電流・・・
2010.02.02
1刷 145
式3-44

分子のl(エル)をI(大文字のアイ)に訂正します。
2013.08.28
1刷 147
図3-34 RE1の定数
RE1 110k
RE1 10k
2013.06.25
1刷 148
式3-46の2行目、3行目

「RC1×」を「1/RC1×」に訂正します。
2013.08.28
1刷 148
式3-47の2行目、3行目

「RC2×」を「1/RC2×」に訂正します。
2013.08.28
1刷 148
式3-48

「RC1×」を「1/RC1×」に、「RC2×」を「1/RC2×」に訂正します。
2013.08.28
1刷 150
「理解度チェック」4)の(E)
位相保障回路
位相補償回路
2013.08.28
1刷 151
コラム「チェック」の見出し
音質なアンプとは
高音質なアンプとは
2013.06.20
1刷 152
「理解度チェック」1)の(C)
レントミラー回路
レントミラー回路
2013.08.28
1刷 157
「オペアンプの特徴」の7行目後半
この点だけが、最も理想オペアンプと
この点だけが、理想オペアンプと
2013.07.05
1刷 162
図4-2
RS
R1

162ページで、入力抵抗が「R1」または「RS」、帰還抵抗が「R2」または「Rf」となっていましたが、それぞれ「R1」、「Rf」に統一します。
2013.08.28
1刷 162
式4-1 6行目の分子
R2
Rf
2013.08.28
1刷 162
式4-2 1行目の分子
R
R1
2013.08.28
1刷 162
式4-2 3行目の分子および分母(3か所)
RS
R1
2013.08.28
1刷 162
図4-3
RS
R1
2013.08.28
1刷 163
「入力抵抗の維持と利得の増大」の16行目
インピーダンスはRfとR4並列接続した
インピーダンスはR2とR4並列接続した
2013.08.28
1刷 170
式4-8の1行目
VOUT=IERE=IIN-IE×RE AV
VOUT=IERE=IIN-IE×RE×AV
2013.08.28
1刷 174
「様々なオペアンプ応用回路」の2行目
反転加算器、同相除去といった
反転加算器、同相信号除去比(CMRR)といった
2013.08.28
1刷 175
図4-18 R1の定数
R1 110k
R1 10k
2013.06.25
1刷 176
式4-14 2行目
2013.08.28
1刷 176
式4-14の2行下
-1 / CxR
-1 / CR
2013.08.28
1刷 177
式4-18の下
となり、また、帰還抵抗Rfに流れる電流if は  iC
となり、また、帰還抵抗Rfに流れる電流ir は  ir
2013.08.28
1刷 178
1行目
VOUT=-C RxdV 1/dt
VOUT=-CR×dV 1/dt
2013.08.28
1刷 179
図4-26 R5の定数
R5 15k
R5 1k
2013.06.25
1刷 179
図4-24 リファレンスおよび定数
P 150k
P1 50k
2013.06.25
1刷 184
図4-37
Rf 240k
Rf 440k
2013.08.28
1刷 184
式4-24
ZIN=(C1のインピーダンス)+RIN+RS+((RIN+RS)÷(C2のインピーダンス))
ZIN=(C1のインピーダンス)+RIN+RS+((RIN+RS)÷(C2のインピーダンス))
2013.06.20
1刷 185
式4-25
ZIN=RIN×RS÷(C2のインピーダンス)
ZIN=RIN×RS÷(C2のインピーダンス)
2013.06.20
1刷 185
式4-25の5行下
インピーダンスは極端に低くなるため、RIn、RSの抵抗値は
インピーダンスは極端に低くなるため、RIN、RSの抵抗値は
2013.06.20
1刷 186
図Ex4-3
(略)

Op-AMPの入力(-)と入力(+)が逆に記載されておりました。帰還は入力の(-)側に接続されている必要があります
2010.04.21
1刷 187
図Ex4-4 R3とP1の定数
R3 100k、P1 15k
R3 10k、P1 5k

右下に「R7 100k」が2つありますが、1つを削除します。
2013.06.25
1刷 188
図Ex4-7(E) 各リファレンスとその定数
R950k、R850k、R6100k、R10、R11
R9 50k、R8 50k、R6 100k、R10、R11
2013.06.25
1刷 193
図5-1 キャプション 3行目
「シュミット・トリガ」が好んで使われるちなみに
「シュミット・トリガ」が好んで使われるちなみに
2013.06.20
1刷 198
下から3行目
発振周波数をえずにパルス幅を
発振周波数をえずにパルス幅を
2013.06.20
1刷 199
図5-2

R1が2つ存在しますが、オペアンプ上部側のR1をRに訂正します。
2013.06.20
1刷 199
下から9行目
振幅制限(リミッター)方式と呼ばれる発信制御方式です。
振幅制限(リミッター)方式と呼ばれる発振制御方式です。
2013.06.20
1刷 200
式5-1の3行目
2013.08.29
1刷 205
図5-7 図中のリファレンス番号

回路図R2付近の「C1」を「C2」に、回路図Q1付近の「C2」を「C6」に訂正します。
2013.06.20
1刷 206
下から15行目
図5-7に示します。
図5-8に示します。
2013.08.29
1刷 207
図5-9 図中のリファレンス番号

回路図下部の120kΩの抵抗器「R2」を「R4」に訂正します。
2013.06.20
1刷 209
図5-12
(略)

図の、左上の電源の記述と、上部の半固定抵抗P1の記述を削除します。
2010.02.02
1刷 211
図5-14 リファレンス名
R4
R3
2013.08.29
1刷 211
図5-14 リファレンス名
R5
R2
2013.08.29
1刷 213
図5-17 R7の定数(ダイオードの下の抵抗値)
R7 27k
R7 2.7k
2013.06.25
1刷 213
「チェック」14行目
2オクターブ上は1760MHz、
2オクターブ上は1760Hz、
2013.08.29
1刷 215
図5-20 回路図左上のリファレンスおよび定数
C1 2μ
C2 1μ
2013.06.25
1刷 218
図5-23のリファレンスおよび定数
(中央からやや左)Q1 Q2SC1815、Q2 Q2SC1815 (右下の3つの抵抗、左から)R2 12k、R2 12k、R3 12k
(中央からやや左)Q1 2SC1815、Q2 2SC1815 (右下の3つの抵抗、左から)R1 1.2k、R2 1.2k、R3 1.2k
2013.06.25
1刷 218
5行目
移送発振回路は
移相発振回路は
2013.08.29
1刷 219
図5-25 C3の定数
C3 22n
C3 2.2n
2013.06.25
1刷 219
1行目
R1C2C3
R1R2R3
2013.08.29
1刷 219
下から5行目
fの概算はf 1.7/(2πR1C1
fの概算はf1.7/(2πR1C1
2013.08.29
1刷 220
図Ex5-1 一番右側の抵抗のリファレンス
R L1
R L
2013.06.25
1刷 221
図Ex5-2 中央上
R1 56k
R1 5.6k
2013.06.25
1刷 221
「第5章のテスト」4)の(C)
逆や異数増幅回路
逆対数増幅回路
2013.08.29
1刷 222
図Ex5-4 中央と右下(2か所)
R1 12k、C3 22n
R1 1.2k、C3 2.2n
2013.06.25
1刷 225
「(4)バンドエリミネートフィルタ(BEF)」の10行目
なお、BEFのf1f2
なお、BEFのfLfH
2013.08.30
1刷 231
「理解度チェック」1)の(B)
(B)通過信号の高い周波数成分のみを通過させる
(B)信号の高い周波数成分のみを通過させる
2013.08.30
1刷 232
「(4)1次あたり~」の次の行
たとえば3次なら-9dB/Octの減衰率になります。
たとえば3次なら-18dB/Octの減衰率になります。
2013.06.20
1刷 237
式6-6の3行上
LRのときはω0=L/Rです。
LRのときはω0=R/Lです。
2013.08.30
1刷 237
式6-6の2行上
ω0=2πfCL/Rということです。
ω0=2πfCR/Lということです。
2013.08.30
1刷 239
式6-7の直後の行
|H(jω)2|
|H(jω)|2
2013.08.30
1刷 239
図6-18のキャプション
図6-18: n次バタワースLPFの周波数特性と位相特性(左)、および入力信号と各タップの出力信号の波形(右)
図6-18: n次バタワースLPFの周波数特性と位相特性
2013.08.30
1刷 239
下から5行目
図6-19
P241右上図
2013.08.30
1刷 240
理解度チェック 図Ex6-1
(略)

Lの定数(0.01μH)が未記載でした
2010.02.02
1刷 241
ページ右上図のキャプション
T型/π型の特性
図6-17の回路のシミュレーション波形
2013.08.30
1刷 242
式6-11 4~8行目
2013.08.30
1刷 243
図6-24 抵抗の値
RS 100
RS 1
2013.08.30
1刷 243
表6-1 右下隅
C10
C10
2013.06.20
1刷 244
3行目
R'、L'、R'を求めていきます。
R'、L'、C'を求めていきます。
2013.08.30
1刷 244
式6-12の10行目
=318.32μF
=318.32F
2013.08.30
1刷 244
式6-12の7行目
=643.8μF
=643.8μH
2013.06.20
1刷 245
図Ex6-2
L1
L2
2013.08.30
1刷 246
図6-29

差し替えます。
2013.07.16
1刷 246
図6-28

差し替えます。
2013.06.20
1刷 246-247
式6-13の2行目以降
2013.08.30
1刷 247
本文 5行目後半
コイルをフィルタに置き換えます。そのうえ
コイルをコンデンサに置き換えます。そのうえ
2013.06.20
1刷 248
図6-30 図中のリファレンス名、定数
C3 16.5n、L3 14.19μ、L5 15.27μ
C4 16.5n、L3 14.19μ、L5 15.27μ
2013.08.30
1刷 248
コラム「チェック」
(上図の変換後) L1=1/(ω02C2) (下図の変換後、コンデンサC2の上) BPF
(下図の下のテキスト)LPF⇒HPF⇒BPFの手順
(上図の変換後) L1=1/(ω02C1) (下図の変換後、コンデンサC2の上) BEF
(下図の下のテキスト)LPF⇒HPF⇒BEFの手順
2013.08.30
1刷 248
式の5行目 L5の単位
56.272μF
56.272μH
2013.06.20
1刷 249
図Ex6-3

・図中の各定数を削除します(求めるべき値が表示されていました)。
・以下のとおり、参照記号を訂正します。
  誤:C1  正:C2

  誤:L2  正:L3
2013.06.27
1刷 249
1~3行目
中心周波数がω0とすると、Cの項のCの値はそのままに、Lの値はその項のCの値から 1 / ( ω0 2C)となります。そしてLPFのときにLであった項のLの値はそのままで、LPFのときのCの値はその項のLの値から 1 / ( ω0 2)となります。なお、念のため、ω0
中心周波数がω0とすると、Cの項のCの値はそのままに、Lの値はその項のCの値から 1 / ( ω0 2C)となります。そしてLPFのときにLであった項のLの値はそのままで、LPFのときのCの値はその項のLの値から 1 / ( ω0 2)となります。なお、念のため、ω0
2013.08.30
1刷 249
コラム 2行目
Lの値はその項のCの値から1/(ωO2C)となります。
Lの値はその項のCの値から1/(ωO2C)となります。
2013.06.20
1刷 250
下から9~7行目
2013.08.30
1刷 252
図6-32
2013.06.20
1刷 252
図6-33
2013.06.20
1刷 252
式6-16

FSFの訂正に伴い、計算結果も上記のとおりに訂正します。
2013.06.20
1刷 255
チェビシェフ多項式のC5とC6の式
2013.08.30
1刷 255
三角関数の加法定理のC2の式の4行目
2013.08.30
1刷 256
チェビシェフ多項式のC5の式
2013.08.30
1刷 256
式6-18
2013.06.20
1刷 260
図6-36
C5 551n
C5 441n
2013.08.30
1刷 260
式6-20
(2つ目の)L4
L6=554μF
L8=514μF
C5
L6=554μH
L8=514μH

L6とL8は単位の訂正です。
2013.06.20
1刷 264
式6-23
2013.08.30
1刷 264
「(4)状態変数型」の5行上
C2=2QC
C1=2QC
2013.08.30
1刷 267
式:図6-44(a)利得Gの式の分母右端
ωO2
ω02

「オメガ・オー」を「オメガ・ゼロ」に訂正します。
2013.08.30
1刷 268
(d)1~2行目(2か所)
サレンキー
サレンキー
2013.08.30
1刷 268
下から4~2行目の式の左辺
C1C1C1
C1C2C3

「左辺」に=は含まれませんが、見やすさのため=付きで示します。
2013.08.30
1刷 271
1行目左辺
C1
C2

「左辺」に=は含まれませんが、見やすさのため=付きで示します。
2013.08.30
1刷 271
図6-46のキャプションの左のテキスト
その回路図を図6-41に正規化したサレンキー型回路を、シミュレーションによる周波数特性と位相特性を図6-42に示します。
その回路図を図6-46に、シミュレーションによる周波数特性と位相特性を図6-47に示します。
2013.08.30
1刷 272
式6-26 2本目のC1の式の左辺
C1
C2

「左辺」に=は含まれませんが、見やすさのため=付きで示します。
2013.08.30
1刷 272
式6-26 5行目
2013.06.20
1刷 273
式6-27「リップル許容度~」の次の行
C1 = 2CfQ = 2C × 0.9564
C1 = 2CfQ = 2Cf × 0.9564
2013.08.30
1刷 276
式6-28中のCfの式
2013.08.30
1刷 277
図6-53のキャプチャ
図6-53: 図6-52 の回路の周波数特性と移送特性
図6-53: 図6-52 の回路の周波数特性と位相特性
2013.08.30
1刷 278
図6-54 「C4」の上

C4の記号を追加し、その両端を配線します。
2013.06.25
1刷 278
式6-29中のCfの式
2013.08.30
1刷 281
式6-30中のCfの式
2013.08.30
1刷 284
下から7行目 Cf2の式の分母
(2π×fc2×Rf2d
(2π×fc2×Rf2
2013.08.30
1刷 285
下から9行目
R=R8=R9R10=9.1KΩ
R=R8=R9R10=9.1KΩ
2013.08.30
1刷 285
下から7行目
R=R11R12R13=11KΩ
<削除>
2013.08.30
1刷 287
図Ex6-5

差し替えます。
2013.06.25
1刷 298
図7-2(a)

抵抗のR6を追加し、C2の定数を「100n」から「100μ」に訂正します。
2013.06.25
1刷 309
図7-15
(略)

U1のインバータが黒塗りされていました
2010.02.02
1刷 311
下から6行目
C1=Cbc x n1/n2
C1=Cbc×n1/n2
2013.06.20
1刷 320
式8-2の1行上
その共振周波数は次の式で求められます。
コンデンサの総容量とその共振周波数は次の式で求められます。
2013.08.30
1刷 320
式8-3の2行上
その共振周波数は次の式で求められます。
総リアクタンスとその共振周波数は次の式で求められます。
2013.08.30
1刷 320
*注(脚注)
その総容量は上記のようになるためです。
その総容量は式8-2のようになるためです。
2013.08.30
1刷 321
式番号
式8-5:
式8-4:
2013.08.30
1刷 323
式番号
式8-4:
式8-5:
2013.08.30
1刷 323
「変形コルピッツ発振回路」の1行上
次にCをC 1>>C 2 となるような組合せを
次にC 1>>C 2 となるような組合せを
2013.08.30
1刷 325
5行目と6行目
式8-10
式8-6
2013.08.30
1刷 326
図8-10 定数(4か所)

定数を以下のとおり訂正します。
・RE : 18k → 1.8k
・R2 : 1k → 11k
・R1 : 75k → 7.5k
・L2 : 22μ → 2.2μ
2013.06.25
1刷 327
下から3~2行目
C4=150pF
C5=22pF
C4=22pF
C5=150pF
2013.06.25
1刷 327
下から12行目
また、C4C5とすることで
また、C4C5とすることで
2014.04.07
1刷 327
2行目と3行目
式8-6
式8-7
2013.08.30
1刷 327
式8-7の1行上
を100Ωを式8-7、式8-8に代入してCとLの値を求めます。
を100Ωとし、式8-8、式8-9に代入してCとLの値を求めます。
2013.08.30
1刷 327
9~10行目
2013.08.30
1刷 327
下から10~9行目
C4150pF、C522pF程度(いずれもE12系列数)とし、実際にはC5は150pF、C6は30~33pF程度の
C422pF、C5150pF程度(いずれもE12系列数)とし、実際にはC5は150pF、C4は30~33pF程度の
2013.08.30
1刷 328
1行目
式8-8
式8-9
2013.08.30
1刷 328
「コルピッツ共振回路の設計」の2行目
式8-7の計算により
式8-8の計算により
2013.08.30
1刷 328
「コルピッツ共振回路の設計」の5行目
値を決めます(式8-9)。
値を決めます(式8-10)。
2013.08.30
1刷 328
式8-9
2013.08.30
1刷 329
下から3行目
式8-8
式8-11a
2013.08.30
1刷 332
式8-12の5行上
等価回路は基本的にC1とR1、L1C2の直列回路を
等価回路は基本的にC0とR1、L1C1の直列回路を
2013.08.30
1刷 335
下から8行目
xC1 = 1/2πfo・C1よってC1 = 1/2πfo・xC1
xC1 = 1/(2πfo・C1)よってC1 = 1/(2πfo・xC1
2013.08.30
1刷 338
図8-19

Q1の矢印を逆向きに訂正します(コレクタとエミッタが逆でした)。
2013.06.25
1刷 338
「コイルレスのコルピッツ型水晶発振回路」の第2段落の1行目
 一方、図8-18のVOUT2のポイントは
 一方、図8-18のVOUTのポイントは
2013.08.30
1刷 341
図8-20 R1の定数
R1 33k
R1 3.3k
2013.06.25
1刷 360
ページ半ば
定理4:A+NOT(A=1 A・NOT(A=0 NOT(A)はAの否定(1/0が逆になったもの)です。
定理4:A+A=1 A・A=0 AはAの否定(1/0が逆になったもの)です。
2013.09.02
1刷 360-361
最下行、1行目
NOT(A)
A
2013.09.02
1刷 363
下から6~4行目
たとえば次の表9-2のようになっています。表9-2のルールに沿って、以下のような機能のICが作られています。
たとえば右記のようになっています。このルールに沿って、次表のような機能のICが作られています。
2013.09.02
1刷 367
表の1列目
I OH (ソース電流) I OL (シンク電流)
I OHmax (ソース電流) I OLmax (シンク電流)
2013.09.02
1刷 369
「理解度チェック」の3~1行上
これが0、1、そしてもうひとつの状態(ステート)あることから、3ステートと呼ばれます。
このように0、1、高インピーダンスという3つの状態(ステート)あることから、3ステートと呼ばれます。
2013.09.02
1刷 373
「デジタル回路のパスコン」の1行上
容量をドライブする
容量をドライブするような場合、あえて電源電圧を高くして使うことがあります。
2013.09.02
1刷 382
式の下
Y1を決定するのにA0もA1関与しない
Y1を決定するのにA1関与しない
2013.09.02
1刷 394
下から10行目
カーソル(B)のタイミングで
カーソル(O)のタイミングで
2013.09.02
1刷 403
図11-5 同期型RSフリップフロップの図

CLKからの配線を追加します。
2013.06.25
1刷 404
「チェック」7行目
図11-6
右図
2013.09.02
1刷 404
式11-2の3行上
図11-7
図11-6
2013.09.02
1刷 406
図11-11 真理値表 下から2行目と1行目のTの値
0
1
2013.06.25
1刷 407
図11-16 Tフリップフロップの図

JとKの接続と黒丸だけで、入力の引き出し線が切れていました。
2013.06.25
1刷 407
式11-3
QnTQ+TQ
QnJ・QK・Q
2013.09.02
1刷 411
「ホールドタイム」の4~7行目
THで示した期間がセットアップタイムです。  なお、セットアップタイムとホールドタイムによって、このフリップフロップの最大繰返し周期が決まります。セットアップタイムとホールドタイムを合計した時間を1周期とする繰返し周期です
THで示した期間がホールドタイムです。  なお、セットアップタイムとホールドタイムを合計した時間が、このフリップフロップで扱える最大繰返し周期(最大トグル周波数)となります
2013.09.02
1刷 427
表12-1 「出力」の「次の状態Qn」の2行目
0
1
2013.09.02
1刷 428
表12-3 3行目
Q1 | Q2 | Q1(n+1) | Q(n+1) | Q1(n+1) | Q2(n+1)
Q1 | Q2 | Q1(n+1) | Q2(n+1) | Q1(n+1) | Q2(n+1)
2013.09.02
1刷 430
「理解度チェック」3)最下行
Q1 | Q4(n+1)
 0 |  0
Q1 | Q4(n+1)
 1 |  1
2013.09.02
1刷 433
下から8~7行目
LED0 = (Q2・Q0)+(Q2・Q1・Q0)+(Q1Q0) LED1 = (Q2Q0)+(Q1・Q0)
LED0 = (Q2・Q0)+(Q2・Q1・Q0)+(Q1Q0) LED1 = (Q2Q1)+(Q1・Q0)
2013.09.02
1刷 434
図12-15 LED1の出力
2013.09.02
1刷 437
図12-18 次のコードのD2/D3の値
2013.09.02
1刷 437
図12-18 論理式
2013.09.02
1刷 443
図Ex12-3

赤枠部分を削除します。
2013.09.02
1刷 443
図Ex12-4

赤枠部分を削除します。
2013.09.02
1刷 443
9)
9) 問(6)のストップウォッチの状態遷移図をもとに、
9) 問(7)のストップウォッチの状態遷移図をもとに、
2013.09.02
1刷 457
「大文字と小文字」の5行目
character型またはstring型の変数で文字を扱ったり
character型の文字やstring型の文字列
2013.09.02
1刷 459
7行目
bgeinより前)
beginより前)
2013.09.02
1刷 463
「演算子」の1~2行目
論理演算子と連接演算子が用意されています。表13-1にVHDLが備える論理演算子、算術演算子、関係演算子、連接演算子を一覧しました。
論理演算子と連接演算子「&」が用意されています。表13-1にVHDLが備える論理演算子、算術演算子、関係演算子を一覧しました。
2013.09.02
1刷 472
「while~loop文」の1~2行目
条件文の条件がになるとループは中断されます。条件文がの間、ループを繰り返します。
条件文の条件がになるとループは中断されます。条件文がの間、ループを繰り返します。
2013.09.02
1刷 476
表13-2「信号に付加されたアトリビュート」の1行上
'rightof(x)   xより1桁右の値1
'rightof(x)   xより1桁右の値
2013.09.02
1刷 478
図13-5の下
図13-9の回路図どおりの回路が
図13-5の回路図どおりの回路が
2013.09.02
1刷 482
図13-5のキャプション
図13-6: 前掲のリストをもとにVHDLコンパイラが合成した回路図
図13-6: 前掲のリストをもとにVHDLコンパイラが合成した回路図(RTLレベル
2013.09.02
1刷 492
11行目
コンポーネントのin_RW_in
コンポーネントのn_RW_in
2013.09.02
1刷 500
(脚注を除き)下から3行目
lp: for n in 0 to 7 gererate」がgenerate文で
lp: for n in 0 to 7 generate」がgenerate文で
2013.09.02
1刷 511
第1章の解答 「ダイオードの概要」(5)、「電界効果トランジスタ(FET)の概要」 2行目
ダイオードの概要(5)・・・A、C、F、G、J、K、N、O 電界効果トランジスタ(FET)の概要(3)・・・約4
ダイオードの概要(5)・・・A、C、G、J、K、N、O 電界効果トランジスタ(FET)の概要(3)・・・(3)約1
2013.03.13
1刷 511
第1章のテスト(5)
B - c
B - d
2013.06.20
1刷 511
第1章のテスト(7)
B - d
B - b
2013.06.20
1刷 511
第2章「保護回路」(1)
C
B、C、D

(C)に加え、(B)、(D)も正解とします。
2013.06.20
1刷 513
最下行
L2=2H×50/FSF=100/62.8x106
L2=2H×50/FSF=100/62.8×106

x(エックス)を×(乗算記号)に訂正します。
2013.06.20