文系でもわかる電子回路 “中学校の知識”ですいすい読める(山下明)|翔泳社の本
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文系でもわかる電子回路 “中学校の知識”ですいすい読める


形式:
書籍
発売日:
ISBN:
9784798152851
価格:
本体2,200円+税
仕様:
A5・260ページ
分類:
電気・建築

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スラスラ読める・わかる! 「電子回路」の入門の入門書!

本書は「電気の基本の1つ」である電子回路について、中学校程度の知識を前提にやさしく丁寧に説明していく入門書です。
難しい式はできるだけ使わず、まるで授業を聞いているような、語りかけるような調子で書かれているので、「数学や物理は苦手……」という方でもどんどん読み進めることができます。

【本書の特長】
・著者は元工業高校教諭。授業そのままの内容でわかりやすい!
・イメージしやすいよう図を多用し、難しい理論もやさしく一言で解説!
・中学校で学ぶ程度の知識があれば、理系科目が苦手な方でも理解できる!

【こんな方におすすめ】
・はじめて電子回路を学ぶ方や本格的に勉強する前段階の方
・電気工事士や電験三種、工事担任者といった国家試験の合格を目指す方
・理工系に進んだものの、知識不足により専門書を読むことに四苦八苦している方

【目次】
・第1章 電子回路を読み解くための予備知識
・第2章 ダイオード
・第3章 トランジスタ
・第4章 電界効果トランジスタ
・第5章 ダイオードの仲間
・第6章 トランジスタの仲間
・第7章 トランジスタを使った増幅回路
・第8章 電界効果トランジスタを使った増幅回路
・第9章 帰還回路と演算増幅器
・第10章 ディジタル回路


Ⅰ.電子回路の世界へようこそ

第1章 電子回路を読み解くための予備知識
 1-1 半導体って何?
 1-2 原子の構造
 1-3 原子の性質
 1-4 電子の性質(1)波と粒子の二重性
 1-5 電子の性質(2)フェルミ粒子としての性質
 1-6 たくさんの電子の扱い方
 1-7 原子の中の電子たち
 1-8 周期表
 1-9 結晶
 1-10 バンド理論(1)金属
 1-11 バンド理論(2)絶縁体
 1-12 バンド理論(3)半導体

Ⅱ.部品の仕組み

第2章 ダイオード
 2-1 ドーピング
 2-2 n型半導体のでき方
 2-3 n型半導体のバンド構造
 2-4 p型半導体のでき方
 2-5 p型半導体のバンド構造
 2-6 pn接合=ダイオード
 2-7 pn接合のバンド構造
 2-8 整流作用とバンド構造
 2-9 ダイオードの電圧電流特性
 2-10 逆電圧

第3章 トランジスタ
 3-1 トランジスタはハンバーガー構造
 3-2 足の名前の由来
 3-3 トランジスタの増幅作用
 3-4 トランジスタのバンド構造
 3-5 静特性と動特性
 3-6 hパラメータ
 3-7 等価回路
 3-8 寄生容量

第4章 電界効果トランジスタ
 4-1 電流駆動と電圧駆動
 4-2 モノポーラ
 4-3 足の名前とチャネル
 4-4 接合型FETの動作
 4-5 接合型FETの静特性
 4-6 接合型FETの等価回路
 4-7 MOSFETの動作
 4-8 エンハンスメント型とデプレッション型
 4-9 MOSFETの静特性

第5章 ダイオードの仲間
 5-1 LED(発光ダイオード)
 5-2 太陽光電池
 5-3 フォトダイオード、pinダイオード
 5-4 レーザーダイオード
 5-5 ツェナーダイオード、アバランシェダイオード
 5-6 トンネルダイオード(エサキダイオード)
 5-7 可変容量ダイオード
 5-8 ショットキーバリアダイオード

第6章 トランジスタの仲間
 6-1 フォトトランジスタ
 6-2 サイリスタ
 6-3 IGBT

Ⅲ.部品の使い方

第7章 トランジスタを使った増幅回路
 7-1 信号と電源
 7-2 バイアスの考え方
 7-3 接地とグラウンド
 7-4 コレクタ抵抗と3つの基本増幅回路
 7-5 エミッタ接地増幅回路の基本動作
 7-6 トランジスタの電圧と電流の関係
 7-7 負荷線
 7-8 動作点
 7-9 増幅率
 7-10 利得
 7-11 動作点とバイアス
 7-12 バイアス回路の必要性
 7-13 バイアス回路のいろいろ
 7-14 直流をカットするには
 7-15 小信号増幅回路の等価回路
 7-16 hパラメータを使った等価回路
 7-17 高周波特性
 7-18 高周波増幅回路
 7-19 入力インピーダンス・出力インピーダンス
 7-20 インピーダンス整合
 7-21 エミッタフォロア

第8章 電界効果トランジスタを使った増幅回路
 8-1 FETの増幅回路
 8-2 接合型FETとMOSFET
 8-3 接合型とデプレッション型MOSのバイアスと動作点
 8-4 エンハンスメント型MOSのバイアスと動作点
 8-5 小信号増幅回路の等価回路

第9章 帰還回路と演算増幅器
 9-1 フィードバックと負帰還回路
 9-2 負帰還回路の増幅率
 9-3 負帰還回路の増幅率が安定する理由
 9-4 負帰還回路の帯域幅が広がる理由
 9-5 負帰還回路の入出力インピーダンス
 9-6 負帰還回路の実際
 9-7 正帰還
 9-8 演習増幅器
 9-9 演習増幅器で足し算

第10章 ディジタル回路
 10-1 ディジタルとは
 10-2 ディジタルの数え方
 10-3 ディジタルとアナログの変換
 10-4 論理回路の基本部品
 10-5 ブール代数
 10-6 ド・モルガンの法則
 10-7 NAND(ナンド)は王様。何でも来い
 10-8 論理回路と真理値表
 10-9 加算器
 10-10 CMOS

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最終更新日:2019年06月13日
発生刷 ページ数 書籍改訂刷 電子書籍訂正 内容 登録日
1刷 051
最終行
「伝導帯の底」の真ん中あたりになります。
「バンドギャップの中央」の間となり、注入するドナーの量によって決まります。
2019.06.13
1刷 051
図2.3.2
2019.06.13
1刷 055
下から2~最終行
「価電子帯の一番上の準位」と「アクセプタ準位」の真ん中あたりに来ることになります。
「バンドギャップの中央」と「アクセプタ準位」の間となり、注入するアクセプタの量によって決まります。
2019.06.13
1刷 055
図2.5.2
2019.06.13
1刷 062
下から5行目の最後
※下記内容を追加します。
また、空乏層が消滅するとき、両側からどんどん供給される電子と正孔は、結合して消滅します(5-1参照)。
2019.06.13
1刷 128
下から2~最終行
①では空乏層がとても薄いために、トンネル効果によって電子も正孔も自由に移動できます。
①の近くで少し電圧を上下させる範囲では、空乏層がとても薄いために、トンネル効果によって電子はn型からp型へ移動するときもp型からn型に移動するときも、すぐ上のエネルギー準位が空いているため、トンネル効果によって自由に移動できます。
2019.06.13
1刷 129
2~3行目
電圧を上げるとn 型の電子はp 型の価電子帯へトンネルし、p 型の正孔はn 型の伝導帯にちょうど行先の準位があるため、急速に電流が流れ、
電圧を上げると急速に電流が流れ、
2019.06.13
1刷 134
8行目
金属材料の仕事関数が半導体の仕事関数より小さくなるものを選び、ショットキー障壁が
ショットキー障壁が
2019.06.13
1刷 138
下から4~最終行
左に漏れます。n 型(薄い)は濃度が薄いので雪崩降伏が起こりやすく(2-10 参照)、どんどん電子が流れ、ON 状態になります。(c)のように、雪崩降伏はゲート電圧を切っても起こるため、ON 状態はアノード・カソード間の電源を切るまで続きます。
左に漏れ、トランジスタのように動作します。n型(薄い)はキャリアが少なかったのが導通するようになり、ON 状態になります。(c)のように、ゲート電圧を切ってもカソード側からの電子はアノード側まで到達し続け、ON 状態はアノード・カソード間の電源を切るまで続きます。
2019.06.13
1刷 139
図6.2.2
2019.06.13